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IGBT動態特性是 ：IGBT 在開通過程中，大部分時間是作為MOSFET 來運行的，只是在漏源電壓Uds 下降過程后期， PNP 晶體管由放大區至飽和，又增加了一段延遲時間。td(on) 為開通延遲時間，tri 為電流上升時間。實際應用中常給出的漏極電流開通時間ton 即為td (on) tri 之和。靜態特性有伏安特性、轉移特性和開關特。6U德國西門康IGBT功率模塊六單元全新現貨

IGBT是能源變換與傳輸的核心器件，俗稱電力電子裝置的“CPU”，作為國家戰略性新興產業，在軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。IGBT是能源變換與傳輸的核心器件，俗稱電力電子裝置的“CPU”，作為國家戰略性新興產業，在軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。西門康模塊IGBT模塊斬波模塊(IGBT+二極管)

西門康IGBT驅動板 包括三大類：Driver驅動板、Driver Core驅動芯、Adaptor Board適配板，適于驅動600V、1200V、1700V三種電壓等級的IGBT模塊。IGBT模塊具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點；西門康IGBT模塊SKM電子元器件半導體全系列

IGBT,絕緣柵雙極型功率管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式電力電子器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點。西門康SEMIKRON賽米控IGBT模塊電子元器件2U

SEMITRANS是一種穩健的工業標準封裝，配備銅底板和用于電源連接的螺絲端子。SEMITRANS封裝采用低電感設計，可用于20kW至500kW的逆變器。通過多渠道采購的IGBT以及賽米控CAL二極管，這些模塊的規格可達到900A和 1700V。憑借超過25年的市場經驗，SEMITRANS封裝提供成熟可靠、久經考驗的標準化設計。西門康IGBT模塊分立半導體模塊一單元(1U)